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FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）600V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）6A（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）1.2 欧姆 @ 3A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（值）4.5V @ 100μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）46nC @ 10VVgs（值）30V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）905pF @ 25VFET 功能-功率耗散（值）110W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型通孔供应商器件封装I2PAK封装/外壳TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
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