FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
400mA（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On）
10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值）
3.7V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）
10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）
156pF @ 25V
Vgs（值）
±30V
FET 功能
-
功率耗散（值）
3.3W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）
8.5 欧姆 @ 500mA，10V
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
SOT-223
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